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SQD19P06-60L
www.vishay.com
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
Vishay Siliconix
2.3
I D = 10 A
100
2.0
1.7
1.4
V GS = 10 V
10
1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.1
1.1
0.01
0.8
0.5
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.5
0.4
0.3
0.2
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
1.0
0.7
0.4
0.1
V SD - Source-to-Drain V oltage ( V )
Source Drain Diode Forward Voltage
I D = 250 μA
I D = 5 mA
0.1
0.0
T J = 150 °C
T J = 25 °C
- 0.2
- 0.5
0
2
4
6
8
10
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
V GS - G ate-to- S ource Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
- 60
I D = 10 mA
- 64
- 68
- 72
- 76
- 80
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
T J - Junction Temperature (°C)
Drain Source Breakdown vs. Junction Temperature
S11-2065-Rev. C, 24-Oct-11
4
Document Number: 65158
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